一種背照式寬動(dòng)態(tài)范圍CMOS圖像傳感器的制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201710149265.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN108573986A 公開（公告）日 2018-09-25
申請(qǐng)公布號(hào) CN108573986A 申請(qǐng)公布日 2018-09-25
分類號(hào) H01L27/146 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 董長(zhǎng)春;其他發(fā)明人請(qǐng)求不公開姓名 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 哈爾濱伽馬光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 150000 黑龍江省哈爾濱市松北區(qū)中源大道15199號(hào)企業(yè)加速器4號(hào)樓3單元3層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及了CMOS圖像傳感器領(lǐng)域，尤其是涉及了一種背照式款動(dòng)態(tài)范圍圖像傳感器的制作方法。本發(fā)明通過(guò)在背面制作深槽隔離和P阱注入，減小了器件間像素單元的電光學(xué)串?dāng)_，增大了器件的滿井容量，同時(shí)在背面進(jìn)行離子注入減小背面照光后擴(kuò)散電子引起的電學(xué)串?dāng)_。而CMOS像素單元結(jié)構(gòu)采用5T有源像素結(jié)構(gòu)作為單元結(jié)構(gòu)，五管有源像素由于采用全并行曝光模式，像素勢(shì)阱很快被填滿，提高了圖像傳感器的動(dòng)態(tài)范圍。