硅基CMOS集成128×128面陣APD傳感器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201621489910.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN206451711U 公開(kāi)（公告）日 2017-08-29
申請(qǐng)公布號(hào) CN206451711U 申請(qǐng)公布日 2017-08-29
分類號(hào) H01L27/146(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 路悅新;其他發(fā)明人請(qǐng)求不公開(kāi)姓名 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 哈爾濱伽馬光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 150000 黑龍江省哈爾濱市松北區(qū)中源大道15199號(hào)企業(yè)加速器4號(hào)樓3單元3層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種硅基CMOS集成128×128面陣APD傳感器。如圖：利用CMOS標(biāo)準(zhǔn)工藝，在硅基襯底上同時(shí)實(shí)現(xiàn)128×128陣列APD探測(cè)器和CMOS接口電路單片集成，通過(guò)合理優(yōu)化的布局，利用三層金屬布線及鈍化工藝，實(shí)現(xiàn)APD面陣與CMOS接口電路的有效連接并形成集成化芯片。該器件集成結(jié)構(gòu)不僅能夠有效減小面陣APD傳感器件的尺寸、噪聲及寄生效應(yīng)，同時(shí)也有效提高面陣APD的探測(cè)效率和速度。