基于硅基雙環(huán)結(jié)構(gòu)的APD探測器制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810051140.X 申請日 -
公開（公告）號 CN110061091A 公開（公告）日 2019-07-26
申請公布號 CN110061091A 申請公布日 2019-07-26
分類號 H01L31/18;H01L31/107 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 孫芳魁;趙永紅 申請（專利權(quán)）人 哈爾濱伽馬光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 150010 黑龍江省哈爾濱市松北區(qū)中源大道15199號4號樓3單元3層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 基于硅基雙環(huán)結(jié)構(gòu)的APD探測器制備方法，本發(fā)明屬于探測器領(lǐng)域，其中包括P+襯底（1），位于襯底上方p?外延層作為探測器的π型吸收區(qū)（2），在外延層上制作保護(hù)環(huán)APD探測器結(jié)構(gòu)包括：接觸區(qū)N+（3）和保護(hù)環(huán)N+（4）組成APD探測器的雙環(huán)結(jié)構(gòu)，在外延層上制備倍增區(qū)P+（5），而光敏面采用SiO2（6）、PSG（7）和Si3N4（9）組成的光敏感層，提高APD探測器對光的透過率，因此提供器件的吸收效率；本發(fā)明區(qū)別于傳統(tǒng)APD探測器主要是采用雙環(huán)結(jié)構(gòu)，增加了器件的感光面積，提高APD探測器的探測效率、響應(yīng)度，并解決了APD探測器的高電壓下邊緣局部提前擊穿效應(yīng)；生產(chǎn)工藝采用高能離子注入和退火工藝制作，有效提高器件的成品率降低暗電流。