硅基Si/Si
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201811617182.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN111384196A | 公開（公告）日 | 2020-07-07 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111384196A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-07-07 |
| 分類號(hào) | H01L31/107(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 孫芳魁;趙永紅 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 哈爾濱伽馬光電科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 150027黑龍江省哈爾濱市松北區(qū)中源大道15199號(hào)4號(hào)樓3單元3層 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 硅基Si/Si1?xGex量子阱APD,本發(fā)明屬于探測(cè)器領(lǐng)域，其中包括P+襯底（1），P+襯底（1）上外延10微米P?外延層（2），在P?外延層（2）上外延22nm厚的Si/Si1?xGex量子阱結(jié)構(gòu)（3），在所述的Si/Si1?xGex量子阱結(jié)構(gòu)上方外延2微米的P?型外延層（4），在Si/Si1?xGex量子阱結(jié)構(gòu)上方依次為APD的場(chǎng)控區(qū)、倍增區(qū)、N型注入?yún)^(qū)。本發(fā)明將Si/Si1?xGex量子阱結(jié)構(gòu)加入APD的吸收區(qū)，通過Si/Si1?xGex形成的既是量子阱又是光波導(dǎo)的結(jié)構(gòu)陷入更多的光子并增加長(zhǎng)波長(zhǎng)光子在窄帶隙Si1?xGex的本征吸收，進(jìn)而提高APD的長(zhǎng)波長(zhǎng)范圍的吸收率并拓寬吸收光譜波長(zhǎng)范圍。最終設(shè)計(jì)出一款紅外吸收增強(qiáng)并設(shè)計(jì)出波長(zhǎng)截止為1.32um的硅基Si/Si1?xGex量子阱紅外探測(cè)APD像元，起到吸收紅外紅移的效果，并提高了硅基APD的信噪比，有效抑制噪聲。?? |
