一種摻雜結(jié)構(gòu)陣列及光調(diào)制器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010998456.7 申請日 -
公開（公告）號 CN112068335A 公開（公告）日 2020-12-11
申請公布號 CN112068335A 申請公布日 2020-12-11
分類號 G02F1/025(2006.01)I 分類 光學(xué);
發(fā)明人 鄭俊守;黃小偉;夏曉亮 申請（專利權(quán)）人 杭州芯耘光電科技有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 311100浙江省杭州市余杭區(qū)余杭經(jīng)濟開發(fā)區(qū)超峰東路2號南樓511室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種摻雜結(jié)構(gòu)陣列及光調(diào)制器，摻雜結(jié)構(gòu)陣列包括基板，設(shè)置在基板上面的第一半導(dǎo)體、第二半導(dǎo)體；第一半導(dǎo)體外接電極平行設(shè)置于第一方向，且與第一半導(dǎo)體接觸；第二半導(dǎo)體外接電極與所述第一半導(dǎo)體外接電極平行于同一平面，且與第二半導(dǎo)體接觸；所述第一半導(dǎo)體與第二半導(dǎo)體交錯排列為第一半導(dǎo)體、第二半導(dǎo)體陣列，以使陣列中的第一半導(dǎo)體兩兩接觸、第二半導(dǎo)體兩兩接觸，通過增大/多載流子耗散區(qū)，從而增大光場所在區(qū)域與載流子耗散區(qū)重合面積，以提高電光調(diào)制器的調(diào)制效率。同時優(yōu)化了外接電極結(jié)構(gòu)，減小了調(diào)制器芯片體積，能夠很好的適應(yīng)高集成度芯片發(fā)展趨勢。??