一種硅基光電芯片
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110346396.5 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113036594A | 公開(公告)日 | 2021-06-25 |
申請公布號 | CN113036594A | 申請公布日 | 2021-06-25 |
分類號 | H01S5/026;G02B6/42 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 黃小偉;王宗旺;鄭俊守;夏曉亮 | 申請(專利權)人 | 杭州芯耘光電科技有限公司 |
代理機構 | - | 代理人 | - |
地址 | 311100 浙江省杭州市余杭區(qū)余杭經(jīng)濟開發(fā)區(qū)超峰東路2號南樓511室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供了一種硅基光電芯片,將激光機構、激光耦合器、光調(diào)制器、光波導、光調(diào)制器驅(qū)動電路、控制電路集成于同一硅基半導體材料中,實現(xiàn)光電芯片單片集成,能夠優(yōu)化光收發(fā)性能、減小封裝尺寸。為了進一步優(yōu)化單片集成硅基光電芯片的性能,進一步將激光機構內(nèi)的光波導層進行優(yōu)化,采用緩沖光波導層,作為激光機構發(fā)光部分三五族化合物層與硅基襯底直接的晶格匹配緩沖帶,以增加激光機構的壽命。針對性解決散熱問題,可以將緩沖光波導層設計為散熱材料或者在緩沖光波導層中增加散熱層,以提高硅基光電芯片的散熱能力。 |
