一種高質(zhì)量晶片鍍膜裝置
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202021543720.X | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN212732748U | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-03-19 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN212732748U | 申請(qǐng)公布日 | 2021-03-19 |
| 分類(lèi)號(hào) | B05D3/02(2006.01)I;B05B13/02(2006.01)I;B05D3/04(2006.01)I;B05B14/40(2018.01)I;B05B16/20(2018.01)I | 分類(lèi) | 一般噴射或霧化；對(duì)表面涂覆液體或其他流體的一般方法〔2〕; |
| 發(fā)明人 | 不公告發(fā)明人 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 哈爾濱晶創(chuàng)科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 哈爾濱市偉晨專(zhuān)利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 李曉敏 |
| 地址 | 150000黑龍江省哈爾濱市南崗區(qū)哈西大街與學(xué)府四道街交匯處第40棟-1層112室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型涉及一種晶片鍍膜裝置，晶體制備技術(shù)領(lǐng)域。解決的是現(xiàn)有的晶片鍍膜后轉(zhuǎn)移加熱過(guò)程中易被污染的問(wèn)題。包括真空殼體、旋轉(zhuǎn)真空裝置、加熱器和霧化噴嘴，真空殼體的頂部安裝有霧化噴嘴，真空殼體的側(cè)壁上均布有加熱器，真空殼體下側(cè)安裝有旋轉(zhuǎn)真空裝置，旋轉(zhuǎn)真空裝置包括旋轉(zhuǎn)托盤(pán)、外部支撐軸和真空管，旋轉(zhuǎn)托盤(pán)與外部支撐軸連接，真空管安裝在外部支撐軸側(cè)面，外部支撐軸上加工有真空通道，旋轉(zhuǎn)托盤(pán)圓心位置加工有通孔，通孔通過(guò)真空通道與真空管連通。箱體內(nèi)部四周分布的加熱器可直接進(jìn)行加熱，對(duì)光刻膠進(jìn)行堅(jiān)膜，無(wú)需進(jìn)行移動(dòng)，避免了鍍膜后轉(zhuǎn)移過(guò)程中發(fā)生污染，保證對(duì)晶片高質(zhì)量鍍膜。?? |
