一種高質(zhì)量晶片鍍膜裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202021543720.X 申請日 -
公開（公告）號 CN212732748U 公開（公告）日 2021-03-19
申請公布號 CN212732748U 申請公布日 2021-03-19
分類號 B05D3/02(2006.01)I;B05B13/02(2006.01)I;B05D3/04(2006.01)I;B05B14/40(2018.01)I;B05B16/20(2018.01)I 分類 一般噴射或霧化；對表面涂覆液體或其他流體的一般方法〔2〕;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請（專利權(quán)）人 哈爾濱晶創(chuàng)科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 哈爾濱市偉晨專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 李曉敏
地址 150000黑龍江省哈爾濱市南崗區(qū)哈西大街與學(xué)府四道街交匯處第40棟-1層112室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及一種晶片鍍膜裝置，晶體制備技術(shù)領(lǐng)域。解決的是現(xiàn)有的晶片鍍膜后轉(zhuǎn)移加熱過程中易被污染的問題。包括真空殼體、旋轉(zhuǎn)真空裝置、加熱器和霧化噴嘴，真空殼體的頂部安裝有霧化噴嘴，真空殼體的側(cè)壁上均布有加熱器，真空殼體下側(cè)安裝有旋轉(zhuǎn)真空裝置，旋轉(zhuǎn)真空裝置包括旋轉(zhuǎn)托盤、外部支撐軸和真空管，旋轉(zhuǎn)托盤與外部支撐軸連接，真空管安裝在外部支撐軸側(cè)面，外部支撐軸上加工有真空通道，旋轉(zhuǎn)托盤圓心位置加工有通孔，通孔通過真空通道與真空管連通。箱體內(nèi)部四周分布的加熱器可直接進(jìn)行加熱，對光刻膠進(jìn)行堅(jiān)膜，無需進(jìn)行移動，避免了鍍膜后轉(zhuǎn)移過程中發(fā)生污染，保證對晶片高質(zhì)量鍍膜。??