一種離子注入角度的監(jiān)測(cè)方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010191626.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113496905A 公開（公告）日 2021-10-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN113496905A 申請(qǐng)公布日 2021-10-12
分類號(hào) H01L21/66（2006.01）I;H01L21/265（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 盧合強(qiáng);劉佑銘;平延磊;吳荘荘 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 芯恩（青島）集成電路有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京漢之知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 高園園
地址 266555山東省青島市黃島區(qū)中德生態(tài)園團(tuán)結(jié)路2877號(hào)ICIC辦公樓4樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種離子注入角度的監(jiān)測(cè)方法，利用離子注入過程中存在的錐角效應(yīng)及晶片的溝道效應(yīng)，將晶片表面經(jīng)過圓心的離子束掃描路徑上的熱波值與離子注入角度及晶片旋轉(zhuǎn)角關(guān)聯(lián)起來，通過對(duì)具有預(yù)設(shè)離子注入傾斜角及晶片旋轉(zhuǎn)角的晶片進(jìn)行離子注入，測(cè)量每片晶片表面經(jīng)過圓心的離子束掃描路徑上的熱波值，進(jìn)而推算出離子注入傾斜角偏差及晶片的晶格偏差，最終達(dá)到了有效監(jiān)控離子注入機(jī)的離子注入角度準(zhǔn)確性的目的。采用本發(fā)明的方法可將監(jiān)測(cè)晶片的數(shù)量縮減至四片，大大簡(jiǎn)化監(jiān)測(cè)過程，降低監(jiān)測(cè)成本，同時(shí)本發(fā)明不僅排除了晶格偏差的干擾，更將嚴(yán)重影響監(jiān)測(cè)結(jié)果的錐角效應(yīng)及溝道效應(yīng)轉(zhuǎn)化為有利條件，從根本上提高了監(jiān)測(cè)結(jié)果的準(zhǔn)確性。