半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010322713.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113539794A 公開（公告）日 2021-10-22
申請(qǐng)公布號(hào) CN113539794A 申請(qǐng)公布日 2021-10-22
分類號(hào) H01L21/027（2006.01）I;H01L21/033（2006.01）I;H01L21/265（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李天慧;于星;梁慧 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 芯恩（青島）集成電路有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 佟婷婷
地址 266000山東省青島市黃島區(qū)太白山路19號(hào)德國(guó)企業(yè)南區(qū)401
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法，制備方法包括：提供半導(dǎo)體基底，形成第一掩膜單元、第二掩膜單元及第三掩膜單元，基述第一掩膜單元與第三掩膜單元對(duì)第二掩膜單元進(jìn)行離子注入，于第二掩膜單元中形成至少一個(gè)注入?yún)^(qū)及至少一個(gè)非注入?yún)^(qū)，以基于經(jīng)過(guò)離子注入后的第二掩膜單元、第一掩膜單元以及第三掩膜單元形成新的刻蝕掩膜層。本發(fā)明可以采用曝光?凝固?曝光?刻蝕的工藝與傾斜離子注入的工藝相結(jié)合，從而可以簡(jiǎn)化工藝步驟，節(jié)約成本，提高工藝效率。本發(fā)明通過(guò)正性光刻膠的曝光及負(fù)顯影方法制作圖形，可有效提高的圖形精度，為圖形特征尺寸的微縮提供有效的保證，整個(gè)過(guò)程不需要特殊的工藝過(guò)程，整體工藝簡(jiǎn)單、成本低，生產(chǎn)率高。