半導體結構及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010322713.5 申請日 -
公開（公告）號 CN113539794A 公開（公告）日 2021-10-22
申請公布號 CN113539794A 申請公布日 2021-10-22
分類號 H01L21/027（2006.01）I;H01L21/033（2006.01）I;H01L21/265（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李天慧;于星;梁慧 申請（專利權）人 芯恩（青島）集成電路有限公司
代理機構 上海光華專利事務所（普通合伙） 代理人 佟婷婷
地址 266000山東省青島市黃島區(qū)太白山路19號德國企業(yè)南區(qū)401
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明的半導體結構及其制備方法，制備方法包括：提供半導體基底，形成第一掩膜單元、第二掩膜單元及第三掩膜單元，基述第一掩膜單元與第三掩膜單元對第二掩膜單元進行離子注入，于第二掩膜單元中形成至少一個注入?yún)^(qū)及至少一個非注入?yún)^(qū)，以基于經(jīng)過離子注入后的第二掩膜單元、第一掩膜單元以及第三掩膜單元形成新的刻蝕掩膜層。本發(fā)明可以采用曝光?凝固?曝光?刻蝕的工藝與傾斜離子注入的工藝相結合，從而可以簡化工藝步驟，節(jié)約成本，提高工藝效率。本發(fā)明通過正性光刻膠的曝光及負顯影方法制作圖形，可有效提高的圖形精度，為圖形特征尺寸的微縮提供有效的保證，整個過程不需要特殊的工藝過程，整體工藝簡單、成本低，生產(chǎn)率高。