一種光刻膠圖案化方法及光刻膠剝離方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010264995.8 申請日 -
公開（公告）號 CN113495430A 公開（公告）日 2021-10-12
申請公布號 CN113495430A 申請公布日 2021-10-12
分類號 G03F7/11（2006.01）I;G03F7/20（2006.01）I;G03F7/42（2006.01）I 分類 攝影術(shù)；電影術(shù)；利用了光波以外其他波的類似技術(shù)；電記錄術(shù)；全息攝影術(shù)〔4〕;
發(fā)明人 王科 申請（專利權(quán)）人 芯恩（青島）集成電路有限公司
代理機構(gòu) 北京漢之知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 高園園
地址 266555山東省青島市黃島區(qū)中德生態(tài)園團結(jié)路2877號ICIC辦公樓4樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種光刻膠圖案化方法及光刻膠剝離方法，在對光刻膠層進行曝光形成曝光區(qū)和非曝光區(qū)之后，對曝光區(qū)的頂部進行處理，形成預(yù)阻擋層，或者結(jié)合負顯影技術(shù)去除非曝光區(qū)，形成第一圖案結(jié)構(gòu)，之后對第一圖案結(jié)構(gòu)進行等離子體處理，使得預(yù)阻擋層發(fā)生反應(yīng)形成阻擋層，并且使得阻擋層下方的光刻膠層被刻蝕，形成上寬下窄的第二圖案結(jié)構(gòu)。阻擋層的有利于保持第二圖案結(jié)構(gòu)的頂部尺寸，以及光刻膠層的鉆刻，利于形成上寬下窄的第二圖案結(jié)構(gòu)。在襯底上形成上寬下窄的圖案結(jié)構(gòu)后沉積金屬層，去除光刻膠實現(xiàn)光刻膠剝離。該過程可以采用例如正顯影技術(shù)去除曝光后的光刻膠。整個過程采用的試劑不會對圖案金屬層以及襯底造成損傷，提高了成品率。