一種基于DSA的光刻方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010217838.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN113448163A | 公開（公告）日 | 2021-09-28 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113448163A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-09-28 |
| 分類號(hào) | G03F7/00（2006.01）I;G03F7/09（2006.01）I | 分類 | 攝影術(shù)；電影術(shù)；利用了光波以外其他波的類似技術(shù)；電記錄術(shù)；全息攝影術(shù)〔4〕; |
| 發(fā)明人 | 趙珂 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 芯恩（青島）集成電路有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京漢之知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 高園園 |
| 地址 | 266555山東省青島市黃島區(qū)中德生態(tài)園團(tuán)結(jié)路2877號(hào)ICIC辦公樓4樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開一種基于DSA的光刻方法，能夠獲得納米結(jié)構(gòu)，包括步驟：在半導(dǎo)體襯底上形成一層光刻膠，并去除中間區(qū)域的光刻膠、在左右兩個(gè)端部留有側(cè)壁光刻膠；在所述中間區(qū)域填充第一嵌段共聚物溶液形成第一嵌段共聚物層，所述第一嵌段共聚物層進(jìn)行自組裝、形成第一層狀相；去除上述左右兩個(gè)端部的側(cè)壁光刻膠，并在左右兩個(gè)端部上形成第二嵌段共聚物層，并以所述第一層狀相為誘導(dǎo)結(jié)構(gòu)、所述第二嵌段共聚物層進(jìn)行自組裝、形成第二層狀相；去除第一層狀相及第二層狀相中的非目標(biāo)物質(zhì)，得到由目標(biāo)物質(zhì)構(gòu)成的納米結(jié)構(gòu)。它旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中由于誘導(dǎo)結(jié)構(gòu)的存在而導(dǎo)致的無(wú)法獲取完全的由嵌段共聚物構(gòu)成的納米結(jié)構(gòu)。 |
