提高SiC晶體生長(zhǎng)效率及質(zhì)量的方法及裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010213648.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113445122A 公開（公告）日 2021-09-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN113445122A 申請(qǐng)公布日 2021-09-28
分類號(hào) C30B25/00（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 盧合強(qiáng);劉佑銘;平延磊;吳荘荘 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 芯恩（青島）集成電路有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京漢之知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 高園園
地址 266555山東省青島市黃島區(qū)中德生態(tài)園團(tuán)結(jié)路2877號(hào)ICIC辦公樓4樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種提高SiC晶體生長(zhǎng)效率及質(zhì)量的方法及裝置，所述方法包括步驟：通過液態(tài)Si獲取氣態(tài)Si；通入氣態(tài)CH4，CH4在設(shè)定溫度下裂解，然后與氣態(tài)Si發(fā)生反應(yīng)，在保護(hù)氣氛圍下提拉、旋轉(zhuǎn)籽晶以實(shí)現(xiàn)SiC晶體生長(zhǎng)前沿?zé)釄?chǎng)的調(diào)控、穩(wěn)定以及大質(zhì)量SiC單晶的生長(zhǎng)，得到SiC晶錠。所述裝置用于實(shí)現(xiàn)所述方法包括：坩堝隔離層，加熱單元；坩堝內(nèi)部設(shè)有隔離單元，隔離單元設(shè)有第一出口，隔離單元上方設(shè)有連接第一氣源的第一入口，坩堝的上方設(shè)有連接氣體處理單元的第二出口，坩堝內(nèi)部的頂部設(shè)有籽晶旋轉(zhuǎn)提拉單元，籽晶旋轉(zhuǎn)提拉單元的下方設(shè)有籽晶；并通過增加激光束的設(shè)置，以提供晶體生長(zhǎng)前沿?zé)釄?chǎng)的調(diào)控，進(jìn)而利于晶體徑向生長(zhǎng)均勻度優(yōu)化和軸向溫度梯度的調(diào)整。