分離柵溝槽結(jié)構(gòu)功率器件的形成方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010192117.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113497121A 公開（公告）日 2021-10-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN113497121A 申請(qǐng)公布日 2021-10-12
分類號(hào) H01L29/423（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐懷花;季明華;張汝京;王歡;楊龍康 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 芯恩（青島）集成電路有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 余明偉
地址 266000山東省青島市黃島區(qū)太白山路19號(hào)德國企業(yè)南區(qū)401
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種分離柵溝槽結(jié)構(gòu)功率器件的形成方法，包括如下步驟：提供一襯底；在所述襯底上形成第一溝槽，所述第一溝槽分為位于下部的第一區(qū)域和位于上部的第二區(qū)域；在所述第一區(qū)域形成分離柵結(jié)構(gòu)，所述分離柵結(jié)構(gòu)包括形成于所述第一溝槽在所述第一區(qū)域的側(cè)壁及底部的隔離結(jié)構(gòu)和包裹于所述隔離結(jié)構(gòu)中的核心區(qū)；所述核心區(qū)包括空氣間隙層或介質(zhì)層；在所述第二區(qū)域形成控制柵結(jié)構(gòu)。本發(fā)明通過形成位于第一溝槽下部側(cè)壁及底部的隔離結(jié)構(gòu)和包裹于所述隔離結(jié)構(gòu)中的核心區(qū)，提供了無需連接器件源極或發(fā)射極的分離柵結(jié)構(gòu)，不但降低了器件中柵極至漏極的密勒電容，提高器件的開關(guān)速度，也簡化了工藝流程，減小了器件芯片面積，降低了產(chǎn)品制造成本。