SiC溝槽MOS器件及其制作方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201811288730.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN109411546A | 公開(kāi)（公告）日 | 2019-03-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN109411546A | 申請(qǐng)公布日 | 2019-03-01 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336 | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 邵錦文;侯同曉;孫致祥;賈仁需;元磊;張秋潔;劉學(xué)松 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 秦皇島京河科學(xué)技術(shù)研究院有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 西安嘉思特知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 張曉 |
| 地址 | 066004 河北省秦皇島市市轄區(qū)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)數(shù)谷大道2號(hào)數(shù)谷大廈1402-2房間 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種SiC溝槽MOS器件，包括：從下到上依次層疊設(shè)置的漏極、SiC襯底層層、N型摻雜外延層、P型摻雜外延層、N型摻雜外延層；P型摻雜外延層，設(shè)置在N型摻雜外延層、P型摻雜外延層中間，且延伸至N型摻雜外延層，延伸深度不超過(guò)N型摻雜外延層厚度的一半；其中，P型摻雜外延層兩側(cè)延伸到部分N型摻雜外延層上；SiO2柵氧化層，設(shè)置在P型摻雜外延層上；柵極，設(shè)置在SiO2柵氧化層上；源極，設(shè)置在N型重?fù)诫s外延層上兩側(cè)的部分區(qū)域；本發(fā)明實(shí)施例，降低了導(dǎo)電溝道中載流子碰撞或散射幾率，改善了SiC MOSFET器件反型溝道載流子遷移率低的問(wèn)題，提高了器件的導(dǎo)電性。 |
