一種SiCMOSFET柵氧化層退火方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201811288681.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN109461646B 公開（公告）日 2019-03-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN109461646B 申請(qǐng)公布日 2019-03-12
分類號(hào) H01L21/02(2006.01)I;H01L21/04(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 邵錦文;侯同曉;孫致祥;賈仁需;元磊;張秋潔;劉學(xué)松 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 秦皇島京河科學(xué)技術(shù)研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 西安嘉思特知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張曉
地址 066004河北省秦皇島市市轄區(qū)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)數(shù)谷大道2號(hào)數(shù)谷大廈1402-2房間
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種SiC MOSFET柵氧化層退火方法，包括：制備SiC外延片；在所述SiC外延片上生長(zhǎng)SiO2柵氧化層；在惰性氣體與Cl2混合氣體環(huán)境條件下，對(duì)所述SiO2柵氧化層進(jìn)行退火處理。本發(fā)明使用惰性氣體與Cl2混合氣體退火SiC MOSFET器件的SiO2柵氧化層，提高了SiC MOSFET器件中SiO2柵氧化層的臨界擊穿電場(chǎng)能力。??