一種碳化硅器件制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201811288664.7 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN109461648A 公開(kāi)（公告）日 2019-03-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN109461648A 申請(qǐng)公布日 2019-03-12
分類號(hào) H01L21/04（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 邵錦文; 侯同曉; 張佳; 孫致祥; 賈仁需; 元磊; 張秋潔; 劉學(xué)松 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 秦皇島京河科學(xué)技術(shù)研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 西安嘉思特知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張曉
地址 066004 河北省秦皇島市市轄區(qū)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)數(shù)谷大道2號(hào)數(shù)谷大廈1402-2房間
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提出了一種碳化硅器件制造方法，包括如下步驟：步驟1：在SiC外延片上生長(zhǎng)SiO2掩膜層；步驟2：將帶有SiO2掩膜層的SiC外延片放入SiC刻蝕機(jī)中進(jìn)行刻蝕，得到SiC溝槽；步驟3：對(duì)帶有SiC溝槽的SiC外延片進(jìn)行退火。本發(fā)明通過(guò)在制備SiO2掩膜層過(guò)程中采用“干法刻蝕+濕法刻蝕”，利用濕法刻蝕去除干法刻蝕SiO2掩膜層的過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生的微掩膜，在制備SiC溝槽過(guò)程中采用“干法刻蝕+氧化刻蝕”，利用氧化刻蝕的方法去除干法刻蝕SiC溝槽的過(guò)程中產(chǎn)生的微掩膜和損傷層，解決了現(xiàn)有技術(shù)中微掩膜殘留在刻蝕腔體內(nèi)，影響碳化硅器件質(zhì)量的技術(shù)問(wèn)題。