一種碳化硅器件制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811288664.7 申請日 -
公開（公告）號 CN109461648A 公開（公告）日 2019-03-12
申請公布號 CN109461648A 申請公布日 2019-03-12
分類號 H01L21/04（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 邵錦文; 侯同曉; 張佳; 孫致祥; 賈仁需; 元磊; 張秋潔; 劉學松 申請（專利權）人 秦皇島京河科學技術研究院有限公司
代理機構 西安嘉思特知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 張曉
地址 066004 河北省秦皇島市市轄區(qū)經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)數(shù)谷大道2號數(shù)谷大廈1402-2房間
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提出了一種碳化硅器件制造方法，包括如下步驟：步驟1：在SiC外延片上生長SiO2掩膜層；步驟2：將帶有SiO2掩膜層的SiC外延片放入SiC刻蝕機中進行刻蝕，得到SiC溝槽；步驟3：對帶有SiC溝槽的SiC外延片進行退火。本發(fā)明通過在制備SiO2掩膜層過程中采用“干法刻蝕+濕法刻蝕”，利用濕法刻蝕去除干法刻蝕SiO2掩膜層的過程中會產(chǎn)生的微掩膜，在制備SiC溝槽過程中采用“干法刻蝕+氧化刻蝕”，利用氧化刻蝕的方法去除干法刻蝕SiC溝槽的過程中產(chǎn)生的微掩膜和損傷層，解決了現(xiàn)有技術中微掩膜殘留在刻蝕腔體內(nèi)，影響碳化硅器件質量的技術問題。