一種碳化硅溝槽刻蝕方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811288688.2 申請日 -
公開（公告）號 CN109411342A 公開（公告）日 2019-03-01
申請公布號 CN109411342A 申請公布日 2019-03-01
分類號 H01L21/28;H01L21/3065;H01L21/308 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 邵錦文;侯同曉;張佳;孫致祥;賈仁需;元磊;張秋潔;劉學(xué)松 申請（專利權(quán)）人 秦皇島京河科學(xué)技術(shù)研究院有限公司
代理機構(gòu) 西安嘉思特知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張曉
地址 066004 河北省秦皇島市市轄區(qū)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)數(shù)谷大道2號數(shù)谷大廈1402-2房間
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種碳化硅溝槽刻蝕方法，包括以下步驟：步驟1：在SiC外延片上生長SiO2掩膜層；步驟2：利用所述SiO2掩膜層對所述SiC外延片進(jìn)行第一刻蝕；步驟3：在所述SiC外延片上沉積Ni掩膜層；步驟4：剝離所述SiO2掩膜層及其表面的Ni掩膜層；步驟5：利用所述Ni掩膜層對所述SiC外延片進(jìn)行第二刻蝕，形成SiC溝槽；步驟6：去除所述Ni掩膜層。本申請?zhí)岢隽艘环N在SiC外延片上形成U型SiC溝槽的頂部和底部都為圓角的方法，既可以降低器件工作時SiC溝槽底部的電場集中導(dǎo)致的柵氧化層提前擊穿，同時也可以降低SiC溝槽頂部直角導(dǎo)致的柵極和源極漏電的問題。