一種SiC MOSFET柵氧化層退火方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811290893.2 申請日 -
公開（公告）號 CN109411343A 公開（公告）日 2019-03-01
申請公布號 CN109411343A 申請公布日 2019-03-01
分類號 H01L21/28;H01L21/02 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 邵錦文;侯同曉;孫致祥;賈仁需;元磊;張秋潔;劉學松 申請（專利權(quán)）人 秦皇島京河科學技術(shù)研究院有限公司
代理機構(gòu) 西安嘉思特知識產(chǎn)權(quán)代理事務所（普通合伙） 代理人 張曉
地址 066004 河北省秦皇島市市轄區(qū)經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)數(shù)谷大道2號數(shù)谷大廈1402-2房間
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種SiC MOSFET柵氧化層退火方法，包括：制備SiC外延片；在所述SiC外延片上生長SiO2柵氧化層；在SiH2Cl2氣體環(huán)境條件下，對所述SiO2柵氧化層進行退火處理。本發(fā)明使用SiH2Cl2退火SiC MOSFET器件的SiO2柵氧化層，提高了SiC MOSFET器件反型溝道載流子遷移率，提升了SiC MOSFET器件的性能。