一種抗浪涌能力增強型的4H-SiC肖特基二極管及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811063584.1 申請日 -
公開（公告）號 CN109449085A 公開（公告）日 2019-03-08
申請公布號 CN109449085A 申請公布日 2019-03-08
分類號 H01L21/329（2006.01）I; H01L29/872（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 邵錦文; 侯同曉; 孫致祥; 賈仁需; 元磊; 張秋潔; 劉學松 申請（專利權(quán)）人 秦皇島京河科學技術(shù)研究院有限公司
代理機構(gòu) 西安嘉思特知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張捷
地址 066004 河北省秦皇島市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)數(shù)谷大道2號數(shù)谷大廈1402-2房間
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種抗浪涌能力增強型的4H?SiC肖特基二極管及其制備方法，制備方法包括以下步驟：在4H?SiC襯底上面生長4H?SiC漂移層；在4H?SiC漂移層內(nèi)形成P型金剛石外延層以及P型金剛石終端保護區(qū)；在P型金剛石外延層、P型金剛石終端保護區(qū)以及4H?SiC漂移層表面形成第一鈍化層；在4H?SiC襯底下面形成歐姆接觸金屬層；刻蝕部分第一鈍化層直到漏出4H?SiC漂移層，在漏出的4H?SiC漂移層表面形成肖特基接觸金屬層；在肖特基接觸金屬層上形成第一接觸層，在歐姆接觸金屬層下面形成第二接觸層；在部分第一接觸層、部分第一鈍化層以及部分肖特基接觸金屬層上形成第二鈍化層，以完成4H?SiC肖特基二極管的制備。通過這種制備方法，可以保證器件在正常的靜態(tài)特性下可以顯著提升抗浪涌能力。