一種無注入型終結(jié)端結(jié)構(gòu)的SiC肖特基二極管及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811064324.6 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN109461654A 公開（公告）日 2019-03-12
申請公布號(hào) CN109461654A 申請公布日 2019-03-12
分類號(hào) H01L21/329（2006.01）I; H01L21/04（2006.01）I; H01L29/06（2006.01）I; H01L29/872（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 邵錦文; 侯同曉; 孫致祥; 賈仁需; 元磊; 張秋潔; 劉學(xué)松 申請（專利權(quán)）人 秦皇島京河科學(xué)技術(shù)研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 西安嘉思特知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張捷
地址 066004 河北省秦皇島市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)數(shù)谷大道2號(hào)數(shù)谷大廈1402-2房間
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種無注入型終結(jié)端結(jié)構(gòu)的SiC肖特基二極管及其制備方法，制備方法包括以下步驟：在4H?SiC襯底上面形成4H?SiC漂移層；在4H?SiC漂移層上形成SiO2摻硼乳膠源層；刻蝕SiO2摻硼乳膠源層，在4H?SiC漂移層上保留部分SiO2摻硼乳膠源層；在SiO2摻硼乳膠源層和4H?SiC漂移層上形成第一鈍化層；在4H?SiC襯底下面制備歐姆接觸金屬層；刻蝕第一鈍化層和SiO2摻硼乳膠源層，以漏出部分區(qū)域的4H?SiC漂移層，在4H?SiC漂移層上制備肖特基接觸金屬層；在肖特基接觸金屬層上形成第一接觸層；在歐姆接觸金屬層下面形成第二接觸層；在第一鈍化層和部分第一接觸層上形成第二鈍化層，以完成SiC肖特基二極管的制備。本發(fā)明肖特基二極管，避免了離子注入給二極管帶來的晶格損傷。