耐高溫低功耗的SiC MOSFET功率器件的制備方法及其結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201711397848.2 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN108257856B 公開（公告）日 2019-05-24
申請公布號(hào) CN108257856B 申請公布日 2019-05-24
分類號(hào) H01L21/04（2006.01）I; H01L29/78（2006.01）I; H01L29/45（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 侯同曉; 邵錦文; 賈仁需; 元磊; 湯曉燕 申請（專利權(quán)）人 秦皇島京河科學(xué)技術(shù)研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 西安嘉思特知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 劉長春
地址 066004 河北省秦皇島市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)數(shù)谷大道2號(hào)數(shù)谷大廈1402-2房間
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種耐高溫低功耗的SiC MOSFET功率器件的制備方法及其結(jié)構(gòu)，包括以下步驟：在SiC襯底上生長N?漂移層；在所述N?漂移層內(nèi)制備P阱；在所述P阱內(nèi)制備N+源區(qū)和P+接觸區(qū)；依次制備第一隔離介質(zhì)層、柵極和第二隔離介質(zhì)層；在所述N+源區(qū)和所述P+接觸區(qū)表面制備歐姆接觸孔；在所述歐姆接觸孔中制備源極歐姆接觸金屬層；在所述源極歐姆接觸金屬層和所述第二隔離介質(zhì)層上制備源極銅石墨烯電極；在所述SiC襯底背面依次制備漏極歐姆接觸金屬層和漏極電極，最終形成所述耐高溫低功耗的SiC MOSFET功率器件。在本實(shí)施例中，通過磷離子注入結(jié)合低溫氧化對界面形成磷鈍化的效果，源極電極采用銅石墨烯復(fù)合材料，提高了器件耐高溫的性能降低了器件的功耗。