一種晶圓的背封工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110996641.7 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113707536A 公開(kāi)（公告）日 2021-11-26
申請(qǐng)公布號(hào) CN113707536A 申請(qǐng)公布日 2021-11-26
分類(lèi)號(hào) H01L21/02（2006.01）I;C23C16/40（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 安云富;丁振宇;侯龍;趙超 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 上海鼎泰匠芯科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 張雪嬌
地址 201306上海市中國(guó)（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)環(huán)湖西二路888號(hào)C樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種晶圓的背封工藝，包括：S1）將晶圓置于反應(yīng)腔室內(nèi)加熱；S2）在反應(yīng)腔室內(nèi)向晶圓背面通入硅源氣體與氧源氣體，同時(shí)向晶圓正面通入保護(hù)性氣體；所述保護(hù)性氣體的流量大于硅源氣體與氧源氣體的流量；S3）待通入氣體穩(wěn)定后，在晶圓背面加載射頻功率使氣體反應(yīng)在晶圓背面沉積二氧化硅。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明直接在晶圓背面生長(zhǎng)二氧化硅，并在生長(zhǎng)二氧化硅的同時(shí)向晶圓正面通入保護(hù)性氣體以防治正面有二氧化硅的沉積，還可通過(guò)調(diào)節(jié)保護(hù)性氣體的流量調(diào)節(jié)晶圓背面邊緣二氧化硅的覆蓋范圍，從而使該背封工藝不需要正面工藝且不會(huì)有正面的任何接觸或者損傷。