一種差分架構只讀存儲單元

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410495362.2 申請日 -
公開(公告)號 CN104299648B 公開(公告)日 2017-12-26
申請公布號 CN104299648B 申請公布日 2017-12-26
分類號 G11C16/06(2006.01)I 分類 信息存儲;
發(fā)明人 翁宇飛;李力南 申請(專利權)人 蘇州寬溫電子科技有限公司
代理機構 北京匯智勝知識產權代理事務所(普通合伙) 代理人 魏秀莉
地址 215000 江蘇省蘇州市吳中區(qū)木瀆鎮(zhèn)中山東路70號2307室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明是一種差分架構只讀存儲單元,每個單元包括四條位線支路BL1、BL1B、BL2和BL2B,以及一條字線WL,所述支路BL1和支路BL1B之間構成差分對,所述支路BL2和支路BL2B之間構成差分對,每個差分對之間共用兩個MOS場效應晶體管。采用本發(fā)明技術方案,差分架構ROM單元一定程度上擴大器件讀操作時可區(qū)分的電流范圍,同時讀取時采用兩條支路對比輸入差分放大器,可以避免采用基準電路帶來的不匹配問題,極大地提高了讀取的穩(wěn)定性,具有廣闊的市場應用前景。