一種差分架構(gòu)只讀存儲(chǔ)單元

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201410495362.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN104299648B 公開（公告）日 2017-12-26
申請(qǐng)公布號(hào) CN104299648B 申請(qǐng)公布日 2017-12-26
分類號(hào) G11C16/06(2006.01)I 分類 信息存儲(chǔ);
發(fā)明人 翁宇飛;李力南 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州寬溫電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京匯智勝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 魏秀莉
地址 215000 江蘇省蘇州市吳中區(qū)木瀆鎮(zhèn)中山東路70號(hào)2307室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明是一種差分架構(gòu)只讀存儲(chǔ)單元，每個(gè)單元包括四條位線支路BL1、BL1B、BL2和BL2B，以及一條字線WL，所述支路BL1和支路BL1B之間構(gòu)成差分對(duì)，所述支路BL2和支路BL2B之間構(gòu)成差分對(duì)，每個(gè)差分對(duì)之間共用兩個(gè)MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。采用本發(fā)明技術(shù)方案，差分架構(gòu)ROM單元一定程度上擴(kuò)大器件讀操作時(shí)可區(qū)分的電流范圍，同時(shí)讀取時(shí)采用兩條支路對(duì)比輸入差分放大器，可以避免采用基準(zhǔn)電路帶來(lái)的不匹配問題，極大地提高了讀取的穩(wěn)定性，具有廣闊的市場(chǎng)應(yīng)用前景。