一種改善P型NVM存儲(chǔ)器NBTI效應(yīng)的差分架構(gòu)存儲(chǔ)單元
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201610884512.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN106531210B | 公開（公告）日 | 2019-11-05 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN106531210B | 申請(qǐng)公布日 | 2019-11-05 |
| 分類號(hào) | G11C16/04（2006.01）I | 分類 | 信息存儲(chǔ); |
| 發(fā)明人 | 翁宇飛; 李力南 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 蘇州寬溫電子科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京匯智勝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 魏秀莉 |
| 地址 | 215000 江蘇省蘇州市吳中區(qū)木瀆鎮(zhèn)中山東路70號(hào)2307室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明是一種改善P型NVM存儲(chǔ)器NBTI效應(yīng)的差分架構(gòu)存儲(chǔ)單元，該存儲(chǔ)單元由P型NVM存儲(chǔ)單元及NBTI恢復(fù)電路組成，所述P型NVM存儲(chǔ)單元為浮柵型架構(gòu)或者為基于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝的邏輯結(jié)構(gòu)NVM存儲(chǔ)單元。本發(fā)明在傳統(tǒng)P型NVM存儲(chǔ)單元的基礎(chǔ)上，采用差分架構(gòu)，保證輸入差分放大器的位線信號(hào)的匹配性，增加了存儲(chǔ)單元的可靠性和穩(wěn)定性，同時(shí)增加了恢復(fù)電路來(lái)降低P型NVM在高壓工作之后的NBTI效應(yīng)影響，可以有效地降低電路功耗，提高存儲(chǔ)器整體的穩(wěn)定性。所述存儲(chǔ)單元穩(wěn)定性得到明顯改進(jìn)，具有很重要的研究意義和廣闊的市場(chǎng)前景。 |
