一種改善P型NVM存儲器NBTI效應(yīng)的差分架構(gòu)存儲單元

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610884512.8 申請日 -
公開（公告）號 CN106531210B 公開（公告）日 2019-11-05
申請公布號 CN106531210B 申請公布日 2019-11-05
分類號 G11C16/04（2006.01）I 分類 信息存儲;
發(fā)明人 翁宇飛; 李力南 申請（專利權(quán)）人 蘇州寬溫電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京匯智勝知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 魏秀莉
地址 215000 江蘇省蘇州市吳中區(qū)木瀆鎮(zhèn)中山東路70號2307室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明是一種改善P型NVM存儲器NBTI效應(yīng)的差分架構(gòu)存儲單元，該存儲單元由P型NVM存儲單元及NBTI恢復(fù)電路組成，所述P型NVM存儲單元為浮柵型架構(gòu)或者為基于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝的邏輯結(jié)構(gòu)NVM存儲單元。本發(fā)明在傳統(tǒng)P型NVM存儲單元的基礎(chǔ)上，采用差分架構(gòu)，保證輸入差分放大器的位線信號的匹配性，增加了存儲單元的可靠性和穩(wěn)定性，同時(shí)增加了恢復(fù)電路來降低P型NVM在高壓工作之后的NBTI效應(yīng)影響，可以有效地降低電路功耗，提高存儲器整體的穩(wěn)定性。所述存儲單元穩(wěn)定性得到明顯改進(jìn)，具有很重要的研究意義和廣闊的市場前景。