一種半導(dǎo)體三極管表面LPCVD鈍化膜及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110936925.7 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113755946A 公開(kāi)（公告）日 2021-12-07
申請(qǐng)公布號(hào) CN113755946A 申請(qǐng)公布日 2021-12-07
分類號(hào) C30B28/14（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I;C23C16/02（2006.01）I;C23C16/34（2006.01）I;C23C16/44（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 孫金凱;葉嬋;于佳寧;毛英女;秦達(dá);馬敘廣;張洪艷;張陽(yáng);王丹;謝勝濤 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 哈爾濱晶體管廠
代理機(jī)構(gòu) 哈爾濱龍科專利代理有限公司 代理人 王新雨
地址 150000黑龍江省哈爾濱市道里區(qū)上游街9號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導(dǎo)體三極管表面LPCVD鈍化膜及其制備方法，屬于芯片鈍化膜制備技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的目的是為了解決現(xiàn)有半導(dǎo)體三極管性能不穩(wěn)定的問(wèn)題，所述鈍化膜由硅氧多結(jié)構(gòu)混合物和氮化硅兩層組成，其中硅氧多結(jié)構(gòu)混合物貼近三極管，氮化硅在外側(cè)貼近外界。在現(xiàn)有三極管光刻之后，將三極管放入LPCVD設(shè)備中，同時(shí)通入笑氣、硅烷和惰性氣體的混合物，控制笑氣與硅烷的體積比為20:80，沉積摻氧多晶硅，然后再改為通入氨氣、硅烷和惰性氣體的混合物，控制氮?dú)夂凸柰榈捏w積比為50:18，沉積氮化硅。本發(fā)明加入LPCVD工藝作為表面保護(hù)結(jié)構(gòu)，強(qiáng)化其可靠性，穩(wěn)定性。由原產(chǎn)品參數(shù)在?50℃～150℃和室溫的參數(shù)變化率25～30％，降至20％以下。