半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及形成方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201811351771.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN109285783A 公開（公告）日 2019-01-29
申請(qǐng)公布號(hào) CN109285783A 申請(qǐng)公布日 2019-01-29
分類號(hào) H01L21/336;H01L29/78 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃海濤;張永熙;陳偉 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海顓芯企業(yè)管理咨詢合伙企業(yè)（有限合伙）
代理機(jī)構(gòu) 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 劉新宇
地址 200131 上海市自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)富特西一路99號(hào)五層501-B5室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開涉及半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及形成方法，所述方法包括：在襯底上依次生成第一介質(zhì)層、第二介質(zhì)層及第三介質(zhì)層；依次對(duì)所述第三介質(zhì)層、所述第二介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕，形成第一注入?yún)^(qū)域；對(duì)所述第一注入?yún)^(qū)域進(jìn)行第一離子注入處理，在所述襯底中形成摻雜區(qū)域；通過(guò)熱氧化法對(duì)所述第二介質(zhì)層進(jìn)行氧化處理，生成圍繞所述第二介質(zhì)層的第四介質(zhì)層，并形成第二注入?yún)^(qū)域；對(duì)所述第二注入?yún)^(qū)域進(jìn)行第二離子注入處理，在所述襯底中形成半導(dǎo)體器件的源極區(qū)域。本公開通過(guò)可以準(zhǔn)確控制源極區(qū)域，進(jìn)而準(zhǔn)確控制器件的溝道長(zhǎng)度，提高M(jìn)OS器件的性能。