半導(dǎo)體器件及其形成方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201811425758.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN109585284A 公開(kāi)（公告）日 2019-04-05
申請(qǐng)公布號(hào) CN109585284A 申請(qǐng)公布日 2019-04-05
分類號(hào) H01L21/28（2006.01）I; H01L21/336（2006.01）I; H01L29/78（2006.01）I; H01L29/423（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃海濤; 張永熙; 陳偉 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海顓芯企業(yè)管理咨詢合伙企業(yè)（有限合伙）
代理機(jī)構(gòu) 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 劉新宇
地址 200131 上海市自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)富特西一路99號(hào)五層501-B5室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體器件及其形成方法，該方法包括：在襯底上依次形成半導(dǎo)體器件的體區(qū)域及源區(qū)域；對(duì)源區(qū)域、體區(qū)域及襯底依次進(jìn)行刻蝕處理，形成溝槽；在刻蝕后的源區(qū)域及所述溝槽的表面上形成第一多晶硅層；對(duì)第一多晶硅層進(jìn)行刻蝕處理，以在溝槽的底部形成第二多晶硅層；對(duì)源區(qū)域、溝槽的側(cè)壁進(jìn)行氧化處理以形成第一柵氧化層，并對(duì)第二多晶硅層進(jìn)行氧化處理以形成第二柵氧化層；在氧化處理后的溝槽中形成第三多晶硅層，以形成半導(dǎo)體器件的柵結(jié)構(gòu)。本公開(kāi)通過(guò)以上工藝流程，形成高可靠性的雙柵氧結(jié)構(gòu)，可以降低半導(dǎo)體器件多晶硅柵與外延層之間的電場(chǎng)以及降低多晶硅柵和半導(dǎo)體器件的漏極之間的寄生電容，從而提高半導(dǎo)體器件的可靠性。