一種功率器件及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110451116.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112992818B 公開（公告）日 2022-03-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN112992818B 申請(qǐng)公布日 2022-03-18
分類號(hào) H01L23/367（2006.01）I;H01L23/373（2006.01）I;H01L23/29（2006.01）I;H01L21/50（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 成年斌;袁毅凱;詹洪桂;徐衡基;高文健;楊寧 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 佛山市國星光電股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣東廣盈專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 李俊
地址 528051廣東省佛山市禪城區(qū)華寶南路18號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種功率器件及其制作方法，具體涉及到半導(dǎo)體器件領(lǐng)域。功率器件包括結(jié)構(gòu)封裝體、支架板、芯片和散熱體，散熱體包括層疊設(shè)置的接觸導(dǎo)電層和高絕緣高導(dǎo)熱層；芯片的底面貼合設(shè)置在支架板的頂面上，位于散熱體底面一側(cè)的接觸導(dǎo)電層貼合設(shè)置在芯片的頂面上；支架板、芯片和散熱體基于結(jié)構(gòu)封裝體封裝，支架板的底面外露于結(jié)構(gòu)封裝體，散熱體的頂面外露于結(jié)構(gòu)封裝體。該功率器件通過在芯片的頂面設(shè)置散熱體，可利用散熱體提高封裝器件的散熱效率并提高封裝器件的使用壽命。