半導體器件及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110452914.1 申請日 -
公開（公告）號 CN113161244A 公開（公告）日 2021-07-23
申請公布號 CN113161244A 申請公布日 2021-07-23
分類號 H01L21/48;H01L21/50;H01L21/60;H01L23/488 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 曹光龍;梁棟 申請（專利權）人 晨宸辰科技有限公司
代理機構 中國貿(mào)促會專利商標事務所有限公司 代理人 李浩
地址 201615 上海市松江區(qū)九亭鎮(zhèn)九亭中心路1158號21幢1603、1604室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開提供了一種半導體器件及其制造方法。該制造方法包括：提供第一半導體結構，第一半導體結構包括：第一襯底、在第一襯底上的第一焊盤層和在第一襯底上且露出第一焊盤層的鈍化層；形成覆蓋鈍化層的犧牲層，犧牲層露出第一焊盤層；形成覆蓋第一半導體結構的第一接合層，第一接合層包括在第一焊盤層上的金屬阻擋層和在金屬阻擋層上的抗氧化層；去除犧牲層和第一接合層的位于犧牲層上的一部分，保留第一接合層的位于第一焊盤層上的另一部分；提供第二半導體結構，第二半導體結構包括：第二襯底和在第二襯底中的第二焊盤層；在第二焊盤層上形成第二接合層；和將第一接合層與第二接合層相接合以將第一半導體結構與第二半導體結構對接。