一種雙面摻硼金剛石薄膜電極的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110068716.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112899641A 公開（公告）日 2021-06-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN112899641A 申請(qǐng)公布日 2021-06-04
分類號(hào) C23C16/27;C23C16/02;C23C16/458;C23C16/52 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 徐金昌;趙小玻;訾蓬;王傳奇;李小安;曹延新;畢涵;玄真武;田龍;陳相棟 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中材人工晶體研究院（山東）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京志霖恒遠(yuǎn)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 洪秀鳳
地址 250200 山東省濟(jì)南市章丘市雙山街道經(jīng)十東路7888號(hào)雙創(chuàng)基地A15晶體樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種雙面摻硼金剛石薄膜電極的制備方法，包括基體預(yù)處理、植晶、雙面摻硼金剛石薄膜沉積，沉積步驟包括將基體卡設(shè)于熱絲化學(xué)氣相沉積裝置的基臺(tái)中，調(diào)整基臺(tái)位于熱絲化學(xué)氣相沉積裝置的由通過支撐裝置支撐的多根相互平行的熱絲組成的上下兩組熱絲組之間的位置，使基體與上下熱絲組平行，抽真空后通氫氣、甲烷和三甲基硼烷，用電極對(duì)熱絲組加熱得到雙面摻硼金剛石薄膜電極。本發(fā)明在沉積薄膜時(shí)，基體處于兩組熱絲組間，可同時(shí)在基體上下面沉積薄膜，提高沉積效率；本發(fā)明熱絲由支撐裝置支撐，支撐裝置對(duì)熱絲起支撐作用，阻止熱絲通電加熱的下垂，使熱絲整體與基體的間距基本保持不變，溫度場(chǎng)均勻，保證成膜質(zhì)量，薄膜沉積成功率高。