一種金剛石膜氧化硼摻雜方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110079663.7 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN112899644A | 公開(公告)日 | 2021-06-04 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN112899644A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-06-04 |
分類號(hào) | C23C16/27;C23C16/448 | 分類 | 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面化學(xué)處理;金屬材料的擴(kuò)散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
發(fā)明人 | 訾蓬;趙小玻;徐金昌;李小安;王傳奇;曹延新;玄真武;楊子萱;王艷蔚 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 中材人工晶體研究院(山東)有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京志霖恒遠(yuǎn)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 趙奕 |
地址 | 250200 山東省濟(jì)南市章丘市雙山街道經(jīng)十東路7888號(hào)雙創(chuàng)基地A15晶體樓 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種金剛石膜氧化硼摻雜方法,所述方法采用熱絲氣相沉積法制備摻硼金剛石薄膜時(shí),通過在基片平臺(tái)的周邊均勻設(shè)置若干開口面積相等的容器,將氧化硼粉放置于容器中,在熱絲加熱時(shí)同時(shí)加熱容器中的氧化硼粉形成高溫氣化,實(shí)現(xiàn)摻硼金剛石薄膜的制備。本發(fā)明通過在基片平臺(tái)周邊設(shè)置若干開口面積相等的容器,并在容器中盛放氧化硼粉,通過控制盛放粉體的數(shù)量,就可以控制參加氣化的氧化硼數(shù)量,并通過采用不同高度的空心立管作為容器,可以控制氧化硼與熱絲的距離,從而控制氧化硼的接觸溫度,從而間接調(diào)整氧化硼的氣化速度,選擇一個(gè)合適的高度和數(shù)量,從而在其他條件一定的情況下,控制硼摻雜的濃度,使硼在沉積過程中的均勻高效摻雜。 |
