一種金剛石膜氧化硼摻雜方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110079663.7 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN112899644A | 公開(公告)日 | 2021-06-04 |
申請公布號 | CN112899644A | 申請公布日 | 2021-06-04 |
分類號 | C23C16/27;C23C16/448 | 分類 | 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面化學處理;金屬材料的擴散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
發(fā)明人 | 訾蓬;趙小玻;徐金昌;李小安;王傳奇;曹延新;玄真武;楊子萱;王艷蔚 | 申請(專利權)人 | 中材人工晶體研究院(山東)有限公司 |
代理機構 | 北京志霖恒遠知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人 | 趙奕 |
地址 | 250200 山東省濟南市章丘市雙山街道經十東路7888號雙創(chuàng)基地A15晶體樓 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種金剛石膜氧化硼摻雜方法,所述方法采用熱絲氣相沉積法制備摻硼金剛石薄膜時,通過在基片平臺的周邊均勻設置若干開口面積相等的容器,將氧化硼粉放置于容器中,在熱絲加熱時同時加熱容器中的氧化硼粉形成高溫氣化,實現摻硼金剛石薄膜的制備。本發(fā)明通過在基片平臺周邊設置若干開口面積相等的容器,并在容器中盛放氧化硼粉,通過控制盛放粉體的數量,就可以控制參加氣化的氧化硼數量,并通過采用不同高度的空心立管作為容器,可以控制氧化硼與熱絲的距離,從而控制氧化硼的接觸溫度,從而間接調整氧化硼的氣化速度,選擇一個合適的高度和數量,從而在其他條件一定的情況下,控制硼摻雜的濃度,使硼在沉積過程中的均勻高效摻雜。 |
