一種摻硼金剛石薄膜電極基體的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110070132.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN112899643A 公開(kāi)（公告）日 2021-06-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN112899643A 申請(qǐng)公布日 2021-06-04
分類號(hào) C23C16/27;C23C16/02;B22F3/11;B22F5/10;B22F7/08;B33Y80/00 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 徐金昌;李小安;王傳奇;曹延新;訾蓬;趙小玻;畢涵;玄真武;王艷蔚 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中材人工晶體研究院（山東）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京志霖恒遠(yuǎn)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 洪秀鳳
地址 250200 山東省濟(jì)南市章丘市雙山街道經(jīng)十東路7888號(hào)雙創(chuàng)基地A15晶體樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種摻硼金剛石薄膜電極基體的制備方法，包括：S1、準(zhǔn)備第一金屬原料，利用第一金屬原料制備基體下部；S2、準(zhǔn)備第二金屬原料，利用第二金屬原料在基體下部的上表面上通過(guò)3D打印技術(shù)打印出具備多孔結(jié)構(gòu)的基體上部；其中，第一金屬原料為抗腐蝕性金屬；第二金屬原料為使第二金屬原料制備出的基體上部在沉積摻硼金剛石薄膜時(shí)可形成碳化物層的金屬。本發(fā)明制備方法的第二金屬原料制備出的基體上部在沉積摻硼金剛石薄膜時(shí)可形成碳化物層，無(wú)需在制備得到的基體表面濺射過(guò)渡層即可實(shí)現(xiàn)良好的膜基結(jié)合性；本發(fā)明制備的基體上部為多孔結(jié)構(gòu)，沉積摻硼金剛石薄膜時(shí)沉積面積大，無(wú)需對(duì)基體上部進(jìn)行增加表面面積的預(yù)處理，簡(jiǎn)化工藝、節(jié)約成本。