一種摻硼金剛石薄膜電極基體的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110070132.1 申請日 -
公開（公告）號 CN112899643A 公開（公告）日 2021-06-04
申請公布號 CN112899643A 申請公布日 2021-06-04
分類號 C23C16/27;C23C16/02;B22F3/11;B22F5/10;B22F7/08;B33Y80/00 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 徐金昌;李小安;王傳奇;曹延新;訾蓬;趙小玻;畢涵;玄真武;王艷蔚 申請（專利權(quán)）人 中材人工晶體研究院（山東）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京志霖恒遠(yuǎn)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 洪秀鳳
地址 250200 山東省濟(jì)南市章丘市雙山街道經(jīng)十東路7888號雙創(chuàng)基地A15晶體樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種摻硼金剛石薄膜電極基體的制備方法，包括：S1、準(zhǔn)備第一金屬原料，利用第一金屬原料制備基體下部；S2、準(zhǔn)備第二金屬原料，利用第二金屬原料在基體下部的上表面上通過3D打印技術(shù)打印出具備多孔結(jié)構(gòu)的基體上部；其中，第一金屬原料為抗腐蝕性金屬；第二金屬原料為使第二金屬原料制備出的基體上部在沉積摻硼金剛石薄膜時可形成碳化物層的金屬。本發(fā)明制備方法的第二金屬原料制備出的基體上部在沉積摻硼金剛石薄膜時可形成碳化物層，無需在制備得到的基體表面濺射過渡層即可實現(xiàn)良好的膜基結(jié)合性；本發(fā)明制備的基體上部為多孔結(jié)構(gòu)，沉積摻硼金剛石薄膜時沉積面積大，無需對基體上部進(jìn)行增加表面面積的預(yù)處理，簡化工藝、節(jié)約成本。