一種單透鏡型自動(dòng)檢測(cè)晶片基底二維形貌和溫度的裝置
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201410692587.7 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN105698845B | 公開(公告)日 | 2018-06-29 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN105698845B | 申請(qǐng)公布日 | 2018-06-29 |
分類號(hào) | G01D21/02 | 分類 | 測(cè)量;測(cè)試; |
發(fā)明人 | 劉健鵬;馬鐵中;焦宏達(dá) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 南昌昂坤半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京華沛德權(quán)律師事務(wù)所 | 代理人 | 劉杰 |
地址 | 102206 北京市昌平區(qū)昌平路97號(hào)新元科技園B座503室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種單透鏡型自動(dòng)檢測(cè)晶片基底二維形貌和溫度的裝置,屬于半導(dǎo)體材料無損檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域。該單透鏡型自動(dòng)檢測(cè)晶片基底二維形貌和溫度的裝置在光束入射至晶片基底之前,將透鏡設(shè)置于分光平片之后,而在形成第二種反射光束之后,將透鏡設(shè)置于分光平片之前,這樣,只需要應(yīng)用一個(gè)透鏡即可,無需選用兩個(gè)透鏡,或者,在選用激光器和探測(cè)器時(shí),無需它們自身集成有透鏡,使得檢測(cè)晶片基底二維形貌的裝置的成本降低。 |
