一種MOCVD設(shè)備實(shí)時(shí)測(cè)溫系統(tǒng)自校準(zhǔn)裝置及方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201310655598.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN104697639B 公開（公告）日 2018-12-07
申請(qǐng)公布號(hào) CN104697639B 申請(qǐng)公布日 2018-12-07
分類號(hào) G01J5/00 分類 測(cè)量；測(cè)試;
發(fā)明人 馬鐵中;嚴(yán)冬;王林梓;劉健鵬;焦宏達(dá) 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 南昌昂坤半導(dǎo)體設(shè)備有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京華沛德權(quán)律師事務(wù)所 代理人 劉杰
地址 100191 北京市昌平區(qū)昌平路97號(hào)新元科技園B座503室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種MOCVD設(shè)備實(shí)時(shí)測(cè)溫系統(tǒng)自校準(zhǔn)裝置及方法，屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域。該裝置包括MOCVD反應(yīng)腔及光學(xué)探測(cè)器，MOCVD反應(yīng)腔包括外延片，MOCVD反應(yīng)腔的頂部設(shè)有探測(cè)窗口，光學(xué)探測(cè)器通過探測(cè)窗口向外延片發(fā)出波長(zhǎng)分別為λ1和λ2的探測(cè)光束，光束外延片反射后形成的反射光束由光學(xué)探測(cè)部分探測(cè)。該方法根據(jù)實(shí)際熱輻射比值，在理論熱輻射比值?溫度曲線上描出與實(shí)際熱輻射比值對(duì)應(yīng)的點(diǎn)；將點(diǎn)對(duì)應(yīng)的溫度T的值代入公式，分別得到校準(zhǔn)系數(shù)m1和m2。該方法及裝置實(shí)現(xiàn)了MOCVD設(shè)備實(shí)時(shí)測(cè)溫系統(tǒng)自校準(zhǔn)，能夠保證外延片生長(zhǎng)溫度測(cè)量一致而又精確。