一種薄膜生長(zhǎng)的實(shí)時(shí)測(cè)溫方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201310655561.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN104697637B 公開（公告）日 2018-12-07
申請(qǐng)公布號(hào) CN104697637B 申請(qǐng)公布日 2018-12-07
分類號(hào) G01J5/00 分類 測(cè)量；測(cè)試;
發(fā)明人 馬鐵中;嚴(yán)冬;王林梓;劉健鵬;焦宏達(dá) 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 南昌昂坤半導(dǎo)體設(shè)備有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京華沛德權(quán)律師事務(wù)所 代理人 劉杰
地址 102206 北京市昌平區(qū)昌平路97號(hào)新元科技園B座503室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種薄膜生長(zhǎng)的實(shí)時(shí)測(cè)溫方法，屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括獲得雙波長(zhǎng)測(cè)溫結(jié)構(gòu)的薄膜生長(zhǎng)反應(yīng)腔的校準(zhǔn)系數(shù)；測(cè)量實(shí)際熱輻射功率，將校準(zhǔn)系數(shù)和實(shí)際熱輻射功率代入公式，計(jì)算得到薄膜生長(zhǎng)反應(yīng)腔內(nèi)薄膜的溫度。該方法由于雙波長(zhǎng)測(cè)溫結(jié)構(gòu)所依附的薄膜生長(zhǎng)反應(yīng)腔經(jīng)過校準(zhǔn)，計(jì)算得到的薄膜的溫度值更接近真值。