一種溫差水熱法生長大尺寸體單晶的裝置
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201921423936.X | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN210314557U | 公開(公告)日 | 2020-04-14 |
申請公布號 | CN210314557U | 申請公布日 | 2020-04-14 |
分類號 | C30B7/10(2006.01)I;C30B29/16(2006.01)I | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
發(fā)明人 | 周海濤;張昌龍;胡章貴;李東平;左艷彬;何小玲 | 申請(專利權)人 | 桂林百銳光電技術有限公司 |
代理機構 | 桂林市持衡專利商標事務所有限公司 | 代理人 | 桂林百銳光電技術有限公司;中國有色桂林礦產地質研究院有限公司;天津理工大學 |
地址 | 541004廣西壯族自治區(qū)桂林市七星區(qū)鐵山路20號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實用新型公開了一種溫差水熱法生長大尺寸體單晶的裝置,包括高壓釜和對高壓釜進行加熱的加熱爐,高壓釜包括釜體及設置于釜體內的水熱反應容器,該水熱反應容器內存在溶解區(qū)和結晶區(qū),在釜體外壁上套設有導熱筒,所述的導熱筒包括上、下導熱筒及設置于二者之間的隔熱阻擋層,其中上導熱筒在縱向方向上的高度及其套裝位置均對應于水熱反應容器內的結晶區(qū),下導熱筒在縱向方向上的高度及其套裝位置均對應于水熱反應容器內的溶解區(qū),上、下導熱筒均由導熱性好的金屬或非金屬制成,隔熱阻擋層由導熱性差的材料制成。本實用新型所述裝置能夠更為精準地控制溫度,使高壓釜生長區(qū)處于上下不同位置的晶體都具有均勻的生長速度。?? |
