一種雙軸晶體主軸方向光學(xué)均勻性的測(cè)試裝置及測(cè)試方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910987283.6 申請(qǐng)日 -
公開(公告)號(hào) CN110596042A 公開(公告)日 2019-12-20
申請(qǐng)公布號(hào) CN110596042A 申請(qǐng)公布日 2019-12-20
分類號(hào) G01N21/45(2006.01); G01B11/24(2006.01) 分類 測(cè)量;測(cè)試;
發(fā)明人 吳文淵; 何小玲; 張昌龍; 盧福華; 王金亮; 周海濤; 李東平; 覃世杰; 左艷彬; 宋旭東 申請(qǐng)(專利權(quán))人 桂林百銳光電技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 桂林市持衡專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 唐智芳
地址 541004 廣西壯族自治區(qū)桂林市七星區(qū)高新區(qū)鐵山工業(yè)園鐵山路20號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種雙軸晶體主軸方向光學(xué)均勻性的測(cè)試裝置及測(cè)試方法。所述的測(cè)試裝置包括沿光軸方向依次設(shè)置的光源、聚光透鏡、準(zhǔn)直透鏡、起偏器、相位補(bǔ)償器、檢偏器、成像鏡頭和相機(jī),待測(cè)晶體置于相位補(bǔ)償器和檢偏器之間,所述的相位補(bǔ)償器由兩塊光楔構(gòu)成,通過調(diào)節(jié)兩塊光楔的相對(duì)位置來(lái)調(diào)節(jié)相位延遲量,其中所述光楔的材質(zhì)為成分與待測(cè)晶體相同且光學(xué)均勻性好的晶體。本發(fā)明所述裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低廉且便于維護(hù)。與傳統(tǒng)測(cè)試方法相比,本發(fā)明所述方法無(wú)需反復(fù)測(cè)試背景干擾及不同偏振態(tài)激光通過晶體形成干涉圖,受環(huán)境影響小,測(cè)試效率高、適合批量化的生產(chǎn)檢測(cè);而且本發(fā)明所述方法操作簡(jiǎn)單、對(duì)測(cè)試晶體的加工要求不高,易于推廣使用。