水熱法生長磷氯鉛礦單晶的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810763846.9 申請日 -
公開（公告）號 CN108796600B 公開（公告）日 2018-11-13
申請公布號 CN108796600B 申請公布日 2018-11-13
分類號 C30B7/10(2006.01)I;C30B29/10(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 任孟德;童靜芳;程煜;周海濤;何小玲;楊利;吳文淵;李東平;左艷彬;王金亮;張昌龍 申請（專利權(quán)）人 桂林百銳光電技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 桂林市持衡專利商標事務(wù)所有限公司 代理人 唐智芳
地址 541004廣西壯族自治區(qū)桂林市七星區(qū)高新區(qū)鐵山工業(yè)園鐵山路20號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種水熱法生長磷氯鉛礦單晶的方法，具體為：取鉛源和磷酸二氫鹽置于高溫條件下燒結(jié)，得到陶瓷塊，所得陶瓷塊置于高壓釜中，以氯離子濃度為1?5mol/L的水溶性氯化物的水溶液作為礦化劑，采用溫差水熱法以生長得到磷氯鉛礦單晶。本發(fā)明所述方法大大提高了晶體的生長速度，能夠在較短時間內(nèi)生長得到較大尺寸的磷氯鉛礦單晶。??