一種二氧化碲單晶的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011502352.9 申請日 -
公開（公告）號 CN112725877A 公開（公告）日 2021-04-30
申請公布號 CN112725877A 申請公布日 2021-04-30
分類號 C30B7/10;C30B29/46 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 童靜芳;周海濤;何小玲;左艷彬;王金亮;覃世杰;張昌龍;李東升;吳文淵;宋旭東 申請（專利權）人 桂林百銳光電技術有限公司
代理機構 北京輕創(chuàng)知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 姚曉麗
地址 541004 廣西壯族自治區(qū)桂林市七星區(qū)高新區(qū)鐵山工業(yè)園鐵山路20號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種二氧化碲單晶的制備方法，屬于單晶生長技術領域。所述二氧化碲單晶的制備方法，包括如下步驟：將水熱反應物置于石英襯套管的底部，再加入水，將所述石英襯套管密封后，加熱混勻，然后將加熱后的所述石英襯套管置于高壓釜的釜體中；在所述石英襯套管和所述釜體的夾層中加入水，將所述高壓釜密封，再將密封后的所述高壓釜置于電阻爐中，設置溶解區(qū)和生長區(qū)的溫度，進行程序降溫，即得到二氧化碲單晶。本發(fā)明采用石英襯套管水熱法來制備二氧化碲單晶，可以使二氧化碲晶體在溫度為300℃?400℃、壓力<100MPa的情況下，在5d?10d內(nèi)快速生長出結晶完整、無明顯雜質(zhì)缺陷、高質(zhì)量的二氧化碲單晶。