一種復(fù)合YAG晶體的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110308671.4 申請日 -
公開（公告）號 CN113122908A 公開（公告）日 2021-07-16
申請公布號 CN113122908A 申請公布日 2021-07-16
分類號 C30B7/10（2006.01）I;C30B29/28（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 童靜芳;覃世杰;周海濤;何小玲;左艷彬;王金亮;張昌龍 申請（專利權(quán)）人 桂林百銳光電技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京輕創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 姚曉麗
地址 541004廣西壯族自治區(qū)桂林市七星區(qū)高新區(qū)鐵山工業(yè)園鐵山路20號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種復(fù)合YAG晶體的制備方法，屬于復(fù)合晶體生長技術(shù)領(lǐng)域。其包括如下步驟：將純YAG晶體定向、切割和拋光，制成籽晶后，懸掛于籽晶架上；將水熱反應(yīng)物置于黃金襯套管的底部，再放入礦化劑溶液，然后將籽晶架置于黃金襯套管的頂部，密封后置于高壓釜的釜體中；在黃金襯套管和釜體的夾層中加入水，將高壓釜密封，再將密封后的高壓釜置于電阻爐中，程序升溫，經(jīng)過10d?15d的生長，再程序降溫，打開高壓釜，取出黃金襯套管，即得到復(fù)合YAG晶體。本發(fā)明可以在10d?15d生長出無明顯雜質(zhì)缺陷、高質(zhì)量、大尺寸的復(fù)合YAG晶體。