高光響應近紅外光電探測器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410229544.5 申請日 -
公開（公告）號 CN104638036B 公開（公告）日 2017-11-10
申請公布號 CN104638036B 申請公布日 2017-11-10
分類號 H01L31/0272(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 唐江;冷美英;羅苗;夏哲 申請（專利權(quán)）人 武漢光電工業(yè)技術(shù)研究院有限公司
代理機構(gòu) 武漢帥丞知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 武漢光電工業(yè)技術(shù)研究院有限公司
地址 430074 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)高新大道999號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種高光響應近紅外光電探測器，其特征在于：具體結(jié)構(gòu)為透明惰性基底/硒化銻薄膜/電極，其中硒化銻薄膜為經(jīng)過后硒化處理的硒化銻薄膜；所述后硒化處理為：將硒化銻薄膜在硒氛圍中進行退火處理，其中：所述硒氛圍的硒蒸氣分壓為1～10000Pa，退火溫度為150～400℃，處理時間為5～30min；或在硒化銻薄膜表面沉積一層硒，然后再進行退火處理，其中：沉積的硒的厚度為1～500nm，退火溫度為150～400℃，退火時間為10～60min。本發(fā)明的高光響應近紅外光電探測器的原材料豐富，價格低廉，工藝簡單、經(jīng)濟、可操作性強，且具有高靈敏度。