低噪聲雪崩光電探測器及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610047625.2 申請日 -
公開（公告）號 CN105576072B 公開（公告）日 2018-02-23
申請公布號 CN105576072B 申請公布日 2018-02-23
分類號 H01L31/107;H01L31/0352;H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 趙彥立 申請（專利權(quán)）人 武漢光電工業(yè)技術(shù)研究院有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 430075 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)高新大道999號未來科技城海外人才大樓B4座6樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種低噪聲雪崩光電探測器及其制備方法，該低噪聲雪崩光電探測器包括通過擴散、離子注入依次形成不同摻雜類型的N型歐姆接觸層/P型歐姆接觸層、倍增層、電荷層、P型歐姆接觸層/N型歐姆接觸層，且電荷層與P型歐姆接觸層/N型歐姆接觸層之間的底部形成有襯底；所述電荷層、P型歐姆接觸層/N型歐姆接觸層與襯底之間形成一個倒梯形凹槽；所述倒梯形凹槽內(nèi)形成有吸收層。所述P型歐姆接觸層和N型歐姆接觸層上分別設(shè)有P型電極和N型電極。本發(fā)明的特點是改進一維縱向雪崩光電探測器為二維橫向結(jié)構(gòu)，通過降低倍增層的有效厚度到納米尺寸，利用納米倍增區(qū)的死區(qū)效應(yīng)降低k值。