一種集成箝位二極管的半導(dǎo)體功率器件
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011000415.0 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN112216691A | 公開(kāi)(公告)日 | 2021-01-12 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN112216691A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-01-12 |
分類(lèi)號(hào) | H01L27/02;H01L29/06;H01L29/78 | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 原小明 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 | 南京江智科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 上海申匯專(zhuān)利代理有限公司 | 代理人 | 南京江智科技有限公司 |
地址 | 210000 江蘇省南京市江北新區(qū)惠達(dá)路6號(hào)北斗大廈9樓902室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種屏蔽柵結(jié)構(gòu)位于有源區(qū)、溝槽式場(chǎng)板終端區(qū)圍繞有源區(qū)周?chē)陌雽?dǎo)體功率器件。連接在漏金屬和源金屬(或柵金屬)之間的齊納二極管,用作SD(或GD)箝位二極管。溝槽式場(chǎng)板終端區(qū)圍繞在有源區(qū)的周?chē)渲?,僅有芯片陣列的存在并不會(huì)導(dǎo)致集成SD或GD多晶硅箝位二極管時(shí),擊穿電壓的下降。 |
