一種屏蔽柵溝槽式金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010757457.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN111969059A 公開(kāi)（公告）日 2020-11-20
申請(qǐng)公布號(hào) CN111969059A 申請(qǐng)公布日 2020-11-20
分類號(hào) H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/423 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 原小明 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 南京江智科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海申匯專利代理有限公司 代理人 南京江智科技有限公司
地址 210000 江蘇省南京市江北新區(qū)惠達(dá)路6號(hào)北斗大廈9樓902室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種改進(jìn)的包含多個(gè)溝槽柵的溝槽式半導(dǎo)體功率器件，每個(gè)溝槽柵均包括一對(duì)分裂柵電極和一個(gè)屏蔽柵電極，在相鄰溝槽柵之間形成一個(gè)氧化層電荷平衡區(qū)，并在溝槽底部形成結(jié)電荷平衡區(qū)。所述溝槽式半導(dǎo)體功率器件還進(jìn)一步包括一個(gè)超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)，所述超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)包括多個(gè)位于襯底之上的、交替排列的P區(qū)和N區(qū)，在氧化層電荷平衡區(qū)下方形成一個(gè)結(jié)電荷平衡區(qū)，本發(fā)明的結(jié)構(gòu)可以有效提高擊穿電壓、降低導(dǎo)通電阻。