一種功率半導(dǎo)體集成器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201911225848.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN111048589A 公開(kāi)（公告）日 2020-04-21
申請(qǐng)公布號(hào) CN111048589A 申請(qǐng)公布日 2020-04-21
分類(lèi)號(hào) H01L29/78;H01L29/40;H01L29/423 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 謝福淵 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 南京江智科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海申匯專(zhuān)利代理有限公司 代理人 南京江智科技有限公司
地址 210000 江蘇省南京市江北新區(qū)惠達(dá)路6號(hào)北斗大廈9樓902室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種包括屏蔽柵溝槽式金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管單元(SGT MOSFET)和超級(jí)勢(shì)壘整流器(SBR)單元的集成電路，其中，SBR與SGT MOSFET位于同一芯片的不同位置。SBR單元為MOS溝道中的多數(shù)載流子提供了一個(gè)低勢(shì)壘的環(huán)境，因此相比與傳統(tǒng)的肖特基整流器來(lái)說(shuō)，具有更低的反向電壓和更低的反向漏電流。同時(shí)，在一些優(yōu)選的實(shí)施例中，屏蔽柵結(jié)構(gòu)采用了多階梯狀氧化物(MSO)結(jié)構(gòu)，以進(jìn)一步降低導(dǎo)通電阻。