一種屏蔽柵溝槽式MOSFET及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201911226821.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN111081779A 公開(kāi)（公告）日 2020-04-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN111081779A 申請(qǐng)公布日 2020-04-28
分類號(hào) H01L29/78;H01L29/45;H01L29/423;H01L29/417;H01L29/06;H01L21/336 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 原小明 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 南京江智科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海申匯專利代理有限公司 代理人 南京江智科技有限公司
地址 210000 江蘇省南京市江北新區(qū)惠達(dá)路6號(hào)北斗大廈9樓902室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種包括ESD鉗位二極管的屏蔽柵溝槽式MOSFET及其制造方法。根據(jù)本發(fā)明的N溝道屏蔽柵溝槽式MOSFET，具有n+摻雜的屏蔽電極，且在制造過(guò)程中只需要提供兩次多晶硅層。這使得，當(dāng)通過(guò)縮小屏蔽柵的寬度以降低Rds并減小器件尺寸時(shí)，不會(huì)引起更高的開(kāi)關(guān)損耗，且不會(huì)引起動(dòng)態(tài)雪崩的不穩(wěn)定性。