一種新型的高壓MOS管

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201920583652.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN209947841U 公開(kāi)（公告）日 2020-01-14
申請(qǐng)公布號(hào) CN209947841U 申請(qǐng)公布日 2020-01-14
分類號(hào) H01L29/06（2006.01）; H01L23/057（2006.01）; H01L23/367（2006.01） 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 原小明; 胡敬全; 谷萬(wàn)忠 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 南京江智科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州拓云知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 南京江智科技有限公司
地址 210000 江蘇省南京市江北新區(qū)惠達(dá)路6號(hào)北斗大廈9樓902室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種新型的高壓MOS管，包括源極、柵極、漏極、基底、下包膠、上包膠和外延層，所述外延層設(shè)置在基底上方，外延層頂部中部設(shè)置有第二阱區(qū)，第二阱區(qū)左右兩側(cè)分別設(shè)置有第一阱區(qū)和第三阱區(qū)，所述源極底部與第一阱區(qū)連接，漏極底部與第三阱區(qū)連接，所述第二阱區(qū)頂部設(shè)置有第二絕緣氧化層，且柵極底部與第二絕緣氧化層連接，所述外延層頂部左右兩側(cè)均設(shè)置有第一絕緣氧化層，所述下包膠設(shè)置在基底下方，上包膠設(shè)置在柵極上方，本實(shí)用新型的有益效果是：第二阱區(qū)作用于增加第一阱區(qū)與第三阱區(qū)之間的電阻，從而增加擊穿電壓；外延層與基底之間設(shè)置有散熱層，能夠在電壓到達(dá)擊穿電壓時(shí)對(duì)基底進(jìn)行保護(hù)，增加基底的使用壽命。