功率半導(dǎo)體模塊襯底及其所應(yīng)用的功率半導(dǎo)體設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010553174.6 申請日 -
公開（公告）號 CN111682021A 公開（公告）日 2020-09-18
申請公布號 CN111682021A 申請公布日 2020-09-18
分類號 H01L25/16(2006.01)I;H01L23/495(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳敏;周宇;高洪藝;李永皓;夏雨昕;孫欣楠;沈捷;李武華 申請（專利權(quán)）人 上海臨港電力電子研究有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京清大紫荊知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 上海臨港電力電子研究有限公司
地址 201306上海市浦東新區(qū)泥城鎮(zhèn)云漢路979號2樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開實施例提供一種功率半導(dǎo)體模塊襯底及設(shè)備，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。其中功率半導(dǎo)體模塊襯底包括的第一橋臂單元包括：襯底基底，以及設(shè)置于襯底基底上的沿第一方向依次設(shè)置的第二功率金屬敷層、第一功率金屬敷層和第三功率金屬敷層；第一功率金屬敷層的靠近第二功率金屬敷層的一側(cè)設(shè)有沿第二方向延伸的第一鏤空結(jié)構(gòu)，第三功率金屬敷層的遠(yuǎn)離第一功率金屬敷層的一側(cè)設(shè)有沿第二方向延伸的第二鏤空結(jié)構(gòu)，第一輔助金屬敷層設(shè)置于第一鏤空結(jié)構(gòu)內(nèi)，第二輔助金屬敷層設(shè)置于第二鏤空結(jié)構(gòu)內(nèi)。這樣，功率半導(dǎo)體模塊襯底的布局緊湊合理，保證了電流分布的均勻，均衡半導(dǎo)體芯片之間的雜散參數(shù)，均衡信號端子到各芯片控制電極之間的距離和雜散參數(shù)。??