半導(dǎo)體器件及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110372849.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113380621A 公開(kāi)（公告）日 2021-09-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN113380621A 申請(qǐng)公布日 2021-09-10
分類號(hào) H01L21/31（2006.01）I;H01L21/78（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳宇;楊彥濤;李文博;蔣利云;朱新建 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廈門(mén)士蘭集科微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京成創(chuàng)同維知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 蔡純;李鎮(zhèn)江
地址 361012福建省廈門(mén)市海滄區(qū)蘭英路89號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 公開(kāi)了一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，半導(dǎo)體器件包括：襯底，襯底中設(shè)置有實(shí)現(xiàn)器件功能的元胞器件結(jié)構(gòu)；位于襯底上方的第一介質(zhì)層，第一介質(zhì)層中設(shè)置有第一類接觸孔和第二類接觸孔，第一類接觸孔和第二類接觸孔貫穿第一介質(zhì)層；位于第一介質(zhì)層上方的元胞區(qū)金屬電極和終端區(qū)金屬電極，元胞區(qū)金屬電極填充第一類接觸孔，終端區(qū)金屬電極填充第二類接觸孔；位于所述第一介質(zhì)層上方的第二介質(zhì)層，第二介質(zhì)層填充元胞區(qū)金屬電極和終端區(qū)金屬電極間的間隙；位于第二介質(zhì)層上方的鈍化層，鈍化層暴露出部分元胞區(qū)金屬電極和部分第一介質(zhì)層，部分鈍化層或第二介質(zhì)層位于終端區(qū)金屬電極的外圍。本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件提高了半導(dǎo)體器件的可靠性。