BaF2基底3.7-4.8μm&7.7-9.5μm雙波段減反射膜及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111280911.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113866852A 公開(kāi)（公告）日 2021-12-31
申請(qǐng)公布號(hào) CN113866852A 申請(qǐng)公布日 2021-12-31
分類號(hào) G02B1/115（2015.01）I;G02B1/14（2015.01）I;C23C14/06（2006.01）I;C23C14/08（2006.01）I;C23C14/18（2006.01）I;C23C14/32（2006.01）I 分類 光學(xué);
發(fā)明人 彭浪;楊偉聲;張友良;董力;鄧苑;李剛;謝海 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 云南北方光學(xué)科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 成都市鼎宏恒業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 馬汶絹
地址 650000云南省昆明市中國(guó)（云南）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)昆明片區(qū)經(jīng)開(kāi)區(qū)紅外路5號(hào)102號(hào)工房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了BaF2基底3.7?4.8μm&7.7?9.5μm雙波段減反射膜及其制備方法，所述減反射膜包括基底層，所述基底層上依次設(shè)置有Y2O3層、ZnSe層、YbF3層、ZnSe層、Ge層、ZnSe層、Ge層、ZnSe層、Ge層、ZnSe層、YbF3層、ZnSe層、Ge層、ZnSe層、YbF3層、ZnS層。本發(fā)明在實(shí)際應(yīng)用中，可以有效解決BaF2材料光學(xué)零件容易脫膜的難題，能夠有效提升減反膜的膜層牢固性和3.7?4.8μm&7.7?9.5μm波段內(nèi)光譜透過(guò)率。